深圳电子元器件芯引力电子BOM配单定制 磁珠芯引力
电容器基本知识介绍：电子元器件芯引力电子BOM表配单
名称：聚酯（涤纶）电容（CL
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
名称：聚苯乙烯电容（CB
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
名称：聚丙烯电容（CBB
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
名称：云母电容（CY
电容量：10p--01u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
名称：高频瓷介电容（CC
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（CT
电容量：10p--47u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
名称：玻璃釉电容（CI
电容量：10p--01u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
名称：铝电解电容
电容量：047--10000u
额定电压：63--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：但电解电容（CA 铌电解电容（CN
电容量：01--1000u
额定电压：63--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：要求高的电路中代替铝电解电容
名称：空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
名称：薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
名称：薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
名称：陶瓷介质微调电容器
可变电容量：03--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
里面说石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U另一种叫II型，容量大，但性能一般。
就温漂而言：石为正温纟数+130左右，CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：钽，铌电容贵，石，CBB较便宜，瓷片，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵。云母电容Q值较高，也稍贵。
选电子元器件，采购来芯引力电子
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSFNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJ4PNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KAINNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B225KAINNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNWE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNNE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNWE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNF三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNWE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNNE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %
交直流电流的测量,贴片电容芯引力电子总结：
根据测量电流的大小选择适当的电流测量量程和红表笔的插入“A”电流插孔，测量直流时，红表笔（插入电流插孔中）接触电压高一端，黑表笔接触电压低的一端，正向电流从红表笔流入万用表，再从黑表笔流出，当要测量的电流大小不清楚的时候，先用的量程来测量，然后再逐渐减小量程来测量。
电子元器件芯引力电子部分规格如下：
CL31B475KAH4PNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B474MAFNNNE三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±20 %
CL31B474KOCNNWC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KOCNNNC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KOCNFNC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KCHSFNE三星贴片电容1206 470 nF 100V X7R ±10 %
CL31B474KCHNNNE三星贴片电容1206 470 nF 100V X7R ±10 %
CL31B474KBHWPNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNWE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNNF三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNFNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBH5PNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KAFNNNF三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±10 %
CL31B474KAFNNNE三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±10 %
CL31B473MCCNNWC三星贴片电容1206 47 nF 100V X7R ±20 %
CL31B473MCCNNNC三星贴片电容1206 47 nF 100V X7R ±20 %
CL31B473MACNBNC三星贴片电容1206 47 nF 25V X7R ±20 %
CL31B473KEHSFNE三星贴片电容1206 47 nF 250V X7R ±10 %
CL31B473KEHNNWE三星贴片电容1206 47 nF 250V X7R ±10 %
片式电容，电子元器件芯引力电子BOM表配单
全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC
主要规格尺寸，按英制标准分为：0201，0402，0603，0805，1206以及大规格的1210，1808，1812，2220，2225，3012，3035等。
容量范围：0.5pF100uF其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压：从4V 4KVDC当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。
片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系，主要分为三大类别：
一、以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档（±0.1pFC档（±0.25pFD档（±0.5pF三种精度。
二、以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15%电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档（±10%
特殊情况下，可提供J档（±5%精度的产品。
三、以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：+3080%电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。
其容量精度主要为Z档（+8020%也可选择±20%精度的产品。
正确选择一颗片式电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必需特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。
选电子元器件，采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32F475ZO9LNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOELNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZLHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZLGNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZASLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -400
CL32F106ZAHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -40000
CL32F105ZBFNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V Y5V -400
CL32C822JHJNNNE三星贴片电容1210 8.2 nF 630V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWF三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWE三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C472JBFNNNE三星贴片电容1210 4.7 nF 50V C0G ±5 %
CL32C182JHHNNNF三星贴片电容1210 1.8 nF 630V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNF三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNE三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103JBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103GBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±2 %
CL32C103FBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±1 %
CL32C101KIFNNWE三星贴片电容1210 100 pF 1000V C0G ±10 %
CL32C101JJFNNNE三星贴片电容1210 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL32B684KCJNNWE三星贴片电容1210 680 nF 100V X7R ±10 %
-/gbacjeb/-
