对电子元件检测，贴片电容芯引力电子归总如下:
CT扫描比较合适，原理是利用准直的X线束、γ射线、超声波等，与灵敏度的探测器一同围绕电子元件作一个接一个的断面扫描，具有扫描时间快，图像清晰等特点。 电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分 的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。 一、元件：工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需电子元器件要能源的器件。包括：电阻、电容、电感。（1）电路类器件：二极管，电阻器。（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)。二、器件：工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件。器件分为： 1、主动器件，它的主要特点是： (1)自身消耗电能，(2)需要外界电源。 2、分立器件，分为: (1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻电容.
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C101KGFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 500V C0G ±10 %
CL31C101KBCNNND三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101KBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101KBCNBNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101JJHNNNF三星贴片电容1206 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C101JJHNNNE三星贴片电容1206 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNNF三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNCE三星贴片电容1206 100 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNFNE三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JHFNNNF三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JHFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JHFNFNE三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JGFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 500V C0G ±5 %
CL31C101JGFNFNE三星贴片电容1206 100 ㎊ 500V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNWC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNND三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNFNC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JBCNNND三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNFNC三星贴片电容1206 100 ㎊ 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNBNC三星贴片电容1206 100 ㎊ 50V C0G ±5 %
CL31C101FBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±1 %
CL31C100JIFNNNF三星贴片电容1206 10 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C100JIFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C100JIFNFNE三星贴片电容1206 10 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C100JHFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 630V C0G ±5 %
CL31C100JHFNFNE三星贴片电容1206 10 pF 630V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNWE三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNNF三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JBCNNNC三星贴片电容1206 10 pF 50V C0G ±5 %
CL31C100DBCNNNC三星贴片电容1206 10 pF 50V C0G ±0.5 pF
片式电容，电子元器件芯引力电子BOM表配单
全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC
主要规格尺寸，按英制标准分为：0201，0402，0603，0805，1206以及大规格的1210，1808，1812，2220，2225，3012，3035等。
容量范围：0.5pF100uF其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压：从4V 4KVDC当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。
片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系，主要分为三大类别：
一、以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档（±0.1pFC档（±0.25pFD档（±0.5pF三种精度。
二、以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15%电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档（±10%
特殊情况下，可提供J档（±5%精度的产品。
三、以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：+3080%电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。
其容量精度主要为Z档（+8020%也可选择±20%精度的产品。
正确选择一颗片式电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必需特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32F475ZO9LNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOELNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZLHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZLGNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZASLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -400
CL32F106ZAHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -40000
CL32F105ZBFNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V Y5V -400
CL32C822JHJNNNE三星贴片电容1210 8.2 nF 630V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWF三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWE三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C472JBFNNNE三星贴片电容1210 4.7 nF 50V C0G ±5 %
CL32C182JHHNNNF三星贴片电容1210 1.8 nF 630V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNF三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNE三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103JBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103GBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±2 %
CL32C103FBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±1 %
CL32C101KIFNNWE三星贴片电容1210 100 pF 1000V C0G ±10 %
CL32C101JJFNNNE三星贴片电容1210 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL32B684KCJNNWE三星贴片电容1210 680 nF 100V X7R ±10 %
贴片电容有无规范命名方法？如何定义？电子元器件芯引力电子BOM表配单总汇：
贴片电容的命名，国内和国外的产家有一些区别但所包含的参数是一样的
贴片电容的命名所包含的参数：
1贴片电容的尺寸（0201，0402，0603，0805，1206，1210，1808，1812，2220，2225
2贴片电容的材质（COG，X7R，Y5V，Z5U，）
3要求达到精度（±0.1PF,±0.25PF,±0.5PF,5%,10%、20%）
4电压 4V`6.3V`10V`16V`25V`50V`100V`250V`500V`1000V`2000V`3000V
5容量 0PF-47UF
6端头的要求 N表示三层电极）
7包装的要求 T表示编带包装，P表示散包装）
国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）依次分别代表名称、资料、分类和序号。
部分：名称，用字母表示，电容器用C
第二部分：资料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的资料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它资料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
例贴片电容的命名：
0805CG102J500NT
0805指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*25.40=1.96mm05表示宽度为0.05英寸（换算成mm=0.05*25.40=1.225mm
CG表示生产电容要求用的材质，
102指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10102也就是=1000PF
J要求电容的容量值达到误差精度为5%,介质资料和误差精度是配对的
500要求电容承受的耐压为50V同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
N指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）镍、锡
T指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B476MQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B476MPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±20 %
CL32B476KPJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±10 %
CL32B475KOINNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KOINNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZ3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJSW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V ±10 %
CL32B475KBJNNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
贴片电容为什么出现不工作，电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴片电容芯引力电子收集统计：贴片电容一般不工作分为3种情况，漏电、击穿、无电容。一般检测用万用表检测阻值 一般调在10K-20K为测量标准，特别是贴片电容。把万用表的笔尖点在贴片电容的两 侧。 如果贴片电容的“数值”直线上升证明贴片电容无任何故障。如果贴片电容的值 为零，证明贴片电容没容量或者被击穿了，这个贴片电容就是坏了。
贴片电容芯引力电子了解到：贴片电容是陶瓷电容，要经过高温才能制作出来，没有标有数值标注的很多贴片厂家都 会在料盘上进行标注容量，每个厂商命名都不一样，各国电容器的型号命名很不统一， 国产电容器的命名由四部分组成：1.用字母表示名称，电容器为C。2.用字母表示材料。3.用数字表示分类。4.用数字表示序号。
电容的标志方法：
1. 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
2. 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B--±0.1pF，C--±0.2pF，D--±0.5pF，F--±1pF。
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CL32A157MQVNNNE三星贴片电容1210 150 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A157MQVNFNE三星贴片电容1210 150 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNWF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNNF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNFNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MPVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 10V X5R ±20 %
CL32A107MPVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 10V X5R ±20 %
CL32A106MOJNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±20 %
CL32A106MOJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±20 %
CL32A106MLULNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±20 %
CL32A106MBJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X5R ±20 %
CL32A106MATLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAILNWE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAILNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106KPINNWE三星贴片电容1210 10 uF 10V X5R ±10 %
CL32A106KPINNNE三星贴片电容1210 10 uF 10V X5R ±10 %
CL32A106KOTLNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOCLNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOCLNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KO9LNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KLULNNF三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±10 %
CL32A106KLULNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±10 %
CL32A106KBJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X5R ±10 %
CL32A106KAULNWE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAULNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KATLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAILNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KA9LNNF三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KA9LNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL31X476MRHNNWE三星贴片电容1206 47 uF 4V X6S ±20 %
CL31X476MRHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 4V X6S ±20 %
CL31X476MQHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±20 %
CL31X476MQHNFNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±20 %
CL31X476KQHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±10 %
CL31X475KACLNNC三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X6S ±10 %
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