电容器基本知识介绍：电子元器件芯引力电子BOM表配单
名称：聚酯（涤纶）电容（CL
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
名称：聚苯乙烯电容（CB
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
名称：聚丙烯电容（CBB
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
名称：云母电容（CY
电容量：10p--01u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
名称：高频瓷介电容（CC
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（CT
电容量：10p--47u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
名称：玻璃釉电容（CI
电容量：10p--01u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
名称：铝电解电容
电容量：047--10000u
额定电压：63--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：但电解电容（CA 铌电解电容（CN
电容量：01--1000u
额定电压：63--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：要求高的电路中代替铝电解电容
名称：空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
名称：薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
名称：薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
名称：陶瓷介质微调电容器
可变电容量：03--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
里面说石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U另一种叫II型，容量大，但性能一般。
就温漂而言：石为正温纟数+130左右，CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：钽，铌电容贵，石，CBB较便宜，瓷片，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵。云母电容Q值较高，也稍贵。
选电子元器件，采购来芯引力电子
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSFNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJ4PNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KAINNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B225KAINNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNWE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNNE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNWE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNF三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNWE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNNE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %
电容的种类介质，电子元器件芯引力电子BOM表配单
电容的种类要按照介质种类来分。这当中可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。 陶瓷电容常用在频器件例如GPU上
选电子元器件，采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL31C470KBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470KBCNBNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470JJHNNNF三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNNE三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNCE三星贴片电容1206 47 ㎊ 2000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C471FCCNNNC三星贴片电容1206 470 pF 100V C0G ±1 %
CL31C470KBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470KBCNBNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±10 %
CL31C470JJHNNNF三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNNE三星贴片电容1206 47 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C470JJHNNCE三星贴片电容1206 47 ㎊ 2000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JIFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNNCF三星贴片电容1206 47 ㎊ 630V C0G ±5 %
CL31C470JHFNFNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±5 %
CL31C470JGFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 500V C0G ±5 %
CL31C470JGFNFNE三星贴片电容1206 47 ㎊ 500V C0G ±5 %
CL31C470JBCNNNC三星贴片电容1206 47 pF 50V C0G ±5 %
CL31C470GHFNNNF三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±2 %
CL31C470GHFNNNE三星贴片电容1206 47 pF 630V C0G ±2 %
贴片电容为什么出现不工作，电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴片电容芯引力电子收集统计：贴片电容一般不工作分为3种情况，漏电、击穿、无电容。一般检测用万用表检测阻值 一般调在10K-20K为测量标准，特别是贴片电容。把万用表的笔尖点在贴片电容的两 侧。 如果贴片电容的“数值”直线上升证明贴片电容无任何故障。如果贴片电容的值 为零，证明贴片电容没容量或者被击穿了，这个贴片电容就是坏了。
贴片电容芯引力电子了解到：贴片电容是陶瓷电容，要经过高温才能制作出来，没有标有数值标注的很多贴片厂家都 会在料盘上进行标注容量，每个厂商命名都不一样，各国电容器的型号命名很不统一， 国产电容器的命名由四部分组成：1.用字母表示名称，电容器为C。2.用字母表示材料。3.用数字表示分类。4.用数字表示序号。
电容的标志方法：
1. 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
2. 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B--±0.1pF，C--±0.2pF，D--±0.5pF，F--±1pF。
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32A157MQVNNNE三星贴片电容1210 150 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A157MQVNFNE三星贴片电容1210 150 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNWF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNNF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MQVNFNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A107MPVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 10V X5R ±20 %
CL32A107MPVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 10V X5R ±20 %
CL32A106MOJNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±20 %
CL32A106MOJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±20 %
CL32A106MLULNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±20 %
CL32A106MBJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X5R ±20 %
CL32A106MATLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAILNWE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106MAILNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±20 %
CL32A106KPINNWE三星贴片电容1210 10 uF 10V X5R ±10 %
CL32A106KPINNNE三星贴片电容1210 10 uF 10V X5R ±10 %
CL32A106KOTLNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOCLNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KOCLNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KO9LNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V X5R ±10 %
CL32A106KLULNNF三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±10 %
CL32A106KLULNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V X5R ±10 %
CL32A106KBJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X5R ±10 %
CL32A106KAULNWE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAULNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KATLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAJNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KAILNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KA9LNNF三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL32A106KA9LNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V X5R ±10 %
CL31X476MRHNNWE三星贴片电容1206 47 uF 4V X6S ±20 %
CL31X476MRHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 4V X6S ±20 %
CL31X476MQHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±20 %
CL31X476MQHNFNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±20 %
CL31X476KQHNNNE三星贴片电容1206 47 uF 6.3V X6S ±10 %
CL31X475KACLNNC三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X6S ±10 %
对电子元件检测，贴片电容芯引力电子归总如下:
CT扫描比较合适，原理是利用准直的X线束、γ射线、超声波等，与灵敏度的探测器一同围绕电子元件作一个接一个的断面扫描，具有扫描时间快，图像清晰等特点。 电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分 的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。 一、元件：工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需电子元器件要能源的器件。包括：电阻、电容、电感。（1）电路类器件：二极管，电阻器。（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)。二、器件：工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件。器件分为： 1、主动器件，它的主要特点是： (1)自身消耗电能，(2)需要外界电源。 2、分立器件，分为: (1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻电容.
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C101KGFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 500V C0G ±10 %
CL31C101KBCNNND三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101KBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101KBCNBNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±10 %
CL31C101JJHNNNF三星贴片电容1206 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C101JJHNNNE三星贴片电容1206 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNNF三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNNCE三星贴片电容1206 100 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C101JIFNFNE三星贴片电容1206 100 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C101JHFNNNF三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JHFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JHFNFNE三星贴片电容1206 100 pF 630V C0G ±5 %
CL31C101JGFNNNE三星贴片电容1206 100 pF 500V C0G ±5 %
CL31C101JGFNFNE三星贴片电容1206 100 ㎊ 500V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNWC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNND三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JCCNFNC三星贴片电容1206 100 pF 100V C0G ±5 %
CL31C101JBCNNND三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNFNC三星贴片电容1206 100 ㎊ 50V C0G ±5 %
CL31C101JBCNBNC三星贴片电容1206 100 ㎊ 50V C0G ±5 %
CL31C101FBCNNNC三星贴片电容1206 100 pF 50V C0G ±1 %
CL31C100JIFNNNF三星贴片电容1206 10 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C100JIFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C100JIFNFNE三星贴片电容1206 10 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C100JHFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 630V C0G ±5 %
CL31C100JHFNFNE三星贴片电容1206 10 pF 630V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNWE三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNNF三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JGFNNNE三星贴片电容1206 10 pF 500V C0G ±5 %
CL31C100JBCNNNC三星贴片电容1206 10 pF 50V C0G ±5 %
CL31C100DBCNNNC三星贴片电容1206 10 pF 50V C0G ±0.5 pF
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