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西安电子元器件芯引力电子BOM配单电话 磁珠芯引力

更新时间:2022-10-02 02:31:32 信息编号:ed2bvik8o7c85a
西安电子元器件芯引力电子BOM配单电话 磁珠芯引力
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电子元器件芯引力电子BOM配单
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西安电子元器件芯引力电子BOM配单电话 磁珠芯引力

贴片电容有无规范命名方法?如何定义?电子元器件芯引力电子BOM表配单总汇:
  贴片电容的命名,国内和国外的产家有一些区别但所包含的参数是一样的
  贴片电容的命名所包含的参数:
  1贴片电容的尺寸(0201,0402,0603,0805,1206,1210,1808,1812,2220,2225
  2贴片电容的材质(COG,X7R,Y5V,Z5U,)
  3要求达到精度(±0.1PF,±0.25PF,±0.5PF,5%,10%、20%)
  4电压 4V`6.3V`10V`16V`25V`50V`100V`250V`500V`1000V`2000V`3000V
  5容量 0PF-47UF
  6端头的要求 N表示三层电极)
  7包装的要求 T表示编带包装,P表示散包装)
  国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)依次分别代表名称、资料、分类和序号。
  部分:名称,用字母表示,电容器用C
  第二部分:资料,用字母表示。
  第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
  第四部分:序号,用数字表示。
  用字母表示产品的资料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它资料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
  例贴片电容的命名:
  0805CG102J500NT
  0805指该贴片电容的尺寸大小,这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸(换算成mm=0.08*25.40=1.96mm05表示宽度为0.05英寸(换算成mm=0.05*25.40=1.225mm
  CG表示生产电容要求用的材质,
  102指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10102也就是=1000PF
  J要求电容的容量值达到误差精度为5%,介质资料和误差精度是配对的
  500要求电容承受的耐压为50V同样500前面两位是有效数字,后面是指有多少个零。
  N指端头材料,现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)镍、锡
  T指包装方式,T表示编带包装,B表示塑料盒散包装
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贴片电容部分规格型号!更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B476MQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B476MPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±20 %
CL32B476KPJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±10 %
CL32B475KOINNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KOINNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZ3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJSW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V ±10 %
CL32B475KBJNNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
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为什么贴片电容有失效的可能?电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴装过程中,贴片电容为什么会出现断裂及贴片电容失效的可能?
  1电容在贴装过程中,若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲,容易发生变形导致裂纹发生;
  2如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份,分板时会受到分板的牵引力而导致电容发生裂纹终而失效。建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放。当我处置线路板时,建议采用简单的分割器械处置,如我生产过程中,因生产条件的限制或习惯用手工分板时,建议其分割槽的深度控制在线路板自身厚度的1/31/2之间,当超过1/2时,强烈建议采用分割器械处置,否则,手工分板将会大大增加线路板的挠曲,从而会对相关器件发生较大的应力,损害其可靠性。
  3焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力,使其发生推力将电容举起,容易发生裂纹。
  4焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹发生:电容在进行波峰焊过程中,预热温度,时间缺乏或者焊接温度过高容易导致裂纹发生,
  5手工补焊过程中。烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触,容量导致裂纹发生
  焊接完成后的基板变型(如分板,装置等)也容易导致裂纹发生
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CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %
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单向晶闸管检测,电子元器件芯引力电子BOM表配单汇总:
可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻,如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω~lkΩ),则此时黑表笔所接的为控制极,红表笔所接为阴极,另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结,我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时,如果正、反向电阻均为零或无穷大,表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时,正、反向电阻读数均应很大;测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时,正、反向电阻都应很大。
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CL31C3R9BBCNNNC三星贴片电容1206 3.9 pF 50V C0G ±0.1 pF
CL31C3R3CBCNNNC三星贴片电容1206 3.3 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C392JCHNNNF三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C392JCHNNNE三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNF三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNE三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JGFNFNE三星贴片电容1206 390 pF 500V C0G ±5 %
CL31C391JBCNNNC三星贴片电容1206 390 pF 50V C0G ±5 %
CL31C390JGFNNWE三星贴片电容1206 39 pF 500V C0G ±5 %
CL31C390JBCNNNC三星贴片电容1206 39 pF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNWE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNNE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332KBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±10 %
CL31C332JHHNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JHHNFNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNWE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332FBFNNNG三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C332FBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C331KBCNBNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±10 %
CL31C331JIHNNNE三星贴片电容1206 330 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C331JIHNNCE三星贴片电容1206 330 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNF三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNFNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNWE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JCCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 100V C0G ±5 %
CL31C331JBCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±5 %
CL31C330KGFNNNE三星贴片电容1206 33 pF 500V C0G ±10 %
CL31C330JJHNNNF三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C330JJHNNNE三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
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贴片电容芯引力电子专辑:直插电容与贴片电容的区别
  无论是插件还是贴片式的装置工艺,电容本身都是直立于PCB根本的区别方式是贴片工艺装置的电容,有黑色的橡胶底座。贴片式的好处主要在于生产方面,其自动化水平高,精度也高,运输途中不像插件式那样容易受损。但是贴片工艺装置需要波峰焊工艺处理,电容经过高温之后可能会影响性能,尤其是阴极采用电解液的电容,经过高温后电解液可能会干枯。插件工艺的装置利息低,因此在同样利息下,电容本身的性能可以更好一些。
  性能方面,直插式电容对频率的适应性差一些,不过不到500MHz以上的频率是很难体现出差异的
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CL43B103KIFNNWE三星贴片电容1812 10 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B103KIFNNNE三星贴片电容1812 10 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B102KJFNNNE三星贴片电容1812 1 nF 2000V X7R ±10 %
CL43A476MQJNNNF三星贴片电容1812 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A476MQJNNNE三星贴片电容1812 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A107MQLNNWF三星贴片电容1812 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A107MQLNNNF三星贴片电容1812 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL42B102KJFNNNE三星贴片电容1808 1 nF 2000V X7R ±10 %
CL32Y475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7S ±10 %
CL32Y106KBJNNWE三星贴片电容1210 10 uF 50V X7S ±10 %
CL32Y106KBJ4PNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X7S ±10 %
CL32X476KPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X6S ±10 %
CL32X476KOVZNWE三星贴片电容1210 47 uF 16V X6S ±10 %
CL32X107MQVNNWF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
CL32X107MQVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
CL32X107MQVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
深圳市芯引力电子科技有限公司
主营产品:贴片电容、贴片钽电容、贴片电阻、贴片电感、贴片二极管、贴片三极管等等电子元器件BOM配单。
公司供应的电子元器件主要应用范围:移动电话,汽车,电脑,数码相机,显示,游戏控制台,硬盘驱动器,LED照明 ,打印机,平板电脑,电子书,手表,穿戴设备,3C智控设备,家居电器,娱乐智能玩具,单机片等
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