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沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制 晶振芯引力

更新时间:2022-10-02 02:31:31 信息编号:7f1nsqtma87661
沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制 晶振芯引力
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电子元器件芯引力电子BOM配单
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沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制 晶振芯引力

贴片电容的识别,电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴片电容识别可以按这两种指标:1、大小(f);2、耐压值(V)。
数学计数法:标值104,容量就是:10X10000pf=0.1uf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。
电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。
字母: A B C D E F G H J K Z
耐压值: 1.0 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0 9.0
选电子元器件,采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号!更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B105MBHNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V X7R ±20 %
CL32B105KCJSNWF三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KCJSNNF三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KCJSNNE三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KCJNNWF三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KCJNNWE三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KCJNNNE三星贴片电容1210 1 uF 100V X7R ±10 %
CL32B105KBHNNNF三星贴片电容1210 1 uF 50V X7R ±10 %
CL32B105KBHNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V X7R ±10 %
CL32B105KAFNNWE三星贴片电容1210 1 uF 25V X7R ±10 %
CL32B105KAFNNNE三星贴片电容1210 1 uF 25V X7R ±10 %
CL32B104MBFNNWE三星贴片电容1210 100 nF 50V X7R ±20 %
CL32B104MBFNNNE三星贴片电容1210 100 nF 50V X7R ±20 %
CL32B104KEJNNNE三星贴片电容1210 100 nF 250V X7R ±10 %
CL32B104KDJNNWE三星贴片电容1210 100 nF 200V X7R ±10 %
CL32B104KCFNNWE三星贴片电容1210 100 nF 100V X7R ±10 %
CL32B104KCFNNNE三星贴片电容1210 100 nF 100V X7R ±10 %
CL32B104KBFNNNE三星贴片电容1210 100 nF 50V X7R ±10 %
CL32B103KGFNNNF三星贴片电容1210 10 nF 500V X7R ±10 %
CL32B103KGFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 500V X7R ±10 %
CL32B102KJFNNWE三星贴片电容1210 1 nF 2000V X7R ±10 %
CL32B102KJFNNNE三星贴片电容1210 1 nF 2000V X7R ±10 %
沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制
单向晶闸管检测,电子元器件芯引力电子BOM表配单汇总:
可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻,如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω~lkΩ),则此时黑表笔所接的为控制极,红表笔所接为阴极,另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结,我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时,如果正、反向电阻均为零或无穷大,表明控制极短路或断路;测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时,正、反向电阻读数均应很大;测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时,正、反向电阻都应很大。
选电子元器件,采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号!更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL31C3R9BBCNNNC三星贴片电容1206 3.9 pF 50V C0G ±0.1 pF
CL31C3R3CBCNNNC三星贴片电容1206 3.3 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C392JCHNNNF三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C392JCHNNNE三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNF三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNE三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JGFNFNE三星贴片电容1206 390 pF 500V C0G ±5 %
CL31C391JBCNNNC三星贴片电容1206 390 pF 50V C0G ±5 %
CL31C390JGFNNWE三星贴片电容1206 39 pF 500V C0G ±5 %
CL31C390JBCNNNC三星贴片电容1206 39 pF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNWE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNNE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332KBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±10 %
CL31C332JHHNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JHHNFNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNWE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332FBFNNNG三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C332FBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C331KBCNBNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±10 %
CL31C331JIHNNNE三星贴片电容1206 330 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C331JIHNNCE三星贴片电容1206 330 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNF三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNFNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNWE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JCCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 100V C0G ±5 %
CL31C331JBCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±5 %
CL31C330KGFNNNE三星贴片电容1206 33 pF 500V C0G ±10 %
CL31C330JJHNNNF三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C330JJHNNNE三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制
固定电阻器的检测,贴片电容芯引力电子
A)将两表笔(不分正负)分别与的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%~80%弧度范围内,以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差。如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了。
B)注意测试时,特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其他元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时还是用测试一下其实际阻值。
芯引力三星贴片电容部分规格如下:
CL31C223JBHNNWE三星贴片电容1206 22 nF 50V C0G ±5 %
CL31C223JBHNNNE三星贴片电容1206 22 nF 50V C0G ±5 %
CL31C222JHHNNNF三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JHHNNNE三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JHHNFNE三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JEHNNNE三星贴片电容1206 2.2 nF 250V C0G ±5 %
CL31C222JCCNNWC三星贴片电容1206 2.2 nF 100V C0G ±5 %
CL31C222JCCNNNC三星贴片电容1206 2.2 nF 100V C0G ±5 %
CL31C222JBCNNNC三星贴片电容1206 2.2 nF 50V C0G ±5 %
CL31C221KGFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±10 %
CL31C221JIHNNNF三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNNNE三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNNCE三星贴片电容1206 220 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNFNE三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNWE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNNF三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNFNE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNWE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNNF三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNFNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JDCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 200V C0G ±5 %
CL31C221JDCNFNC三星贴片电容1206 220 ㎊ 200V C0G ±5 %
CL31C221JCCNNWC三星贴片电容1206 220 pF 100V C0G ±5 %
CL31C221JCCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 100V C0G ±5 %
CL31C221JBCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 50V C0G ±5 %
更多百度搜索:芯引力联系方式;
沈阳环保电子元器件芯引力电子BOM配单定制
为什么贴片电容有失效的可能?电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴装过程中,贴片电容为什么会出现断裂及贴片电容失效的可能?
  1电容在贴装过程中,若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲,容易发生变形导致裂纹发生;
  2如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份,分板时会受到分板的牵引力而导致电容发生裂纹终而失效。建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放。当我处置线路板时,建议采用简单的分割器械处置,如我生产过程中,因生产条件的限制或习惯用手工分板时,建议其分割槽的深度控制在线路板自身厚度的1/31/2之间,当超过1/2时,强烈建议采用分割器械处置,否则,手工分板将会大大增加线路板的挠曲,从而会对相关器件发生较大的应力,损害其可靠性。
  3焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力,使其发生推力将电容举起,容易发生裂纹。
  4焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹发生:电容在进行波峰焊过程中,预热温度,时间缺乏或者焊接温度过高容易导致裂纹发生,
  5手工补焊过程中。烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触,容量导致裂纹发生
  焊接完成后的基板变型(如分板,装置等)也容易导致裂纹发生
选电子元器件,采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号!更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %

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